onsemi FGH50T65SQD-F155
$ 2.175
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FGH50T65SQD-F155.
Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FGH50T65SQD-F155 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
268W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT, 650 V, 50A Field Stop 4 Trench
IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
Discrete IGBTs; FGH50T65SQD-F155; ON SEMICONDUCTOR
268W 1.6V 650V 100A TO-247-3 15.62mm*4.7mm*24.38mm
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.25%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current100 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation268 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade