onsemi FGH25N120FTDS
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIKW25T120FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
InfineonIHW30N120R3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, PG-TO247-3, RoHS
onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
Descrições
Descrições de onsemi FGH25N120FTDS fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT, 1200V, 25A, Field Stop Trench
Fs1Tigbt To247 25A 1200V Rohs Compliant: Yes
Using advanced field stop trench IGBT technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time132 ns
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time535 ns
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height20.82 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade