onsemi FGA25S125P
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | FGA25S125P | 420 | 600 | Tray | 6d | |||||||
| Win Source | WS-FGA25S125P | 8.690 | 60 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | FGA25S125P | 29.679 | 7 | Tube | 10h | |||||||
| Anlinkda | FGA25S125P | 13.288 | 16h | |||||||||
| RC Electronics | FGA25S125P | 11.926 | 1 | 2d |
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FGA25S125P.
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FGA25S125P fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 1.25KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail
1250V, 25A, Shorted-anode IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1250V V(BR)CES, N-Channel
RAIL / 1250V 25A FS SA Trench IGBT
Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode trench IGBTs offer superior conduction and switching performances for soft switching applications. The device can operate in parallel configuration with exceptional avalanche capability . This device is designed for induction heating and microwave oven.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.25 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.16 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.25 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fichas técnicas e documentos
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