onsemi FFB5551
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-06-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-01-06
LTD Date2026-07-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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ToshibaRN1308(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi FFB5551 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
160V 200mW 80@10mA,5V 200mA 2 NPN SC-70-6L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R / TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
200mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) 200mW 6V 50nA 180V 160V 200mA SC-70-6,SC-88 2mm*1.25mm*1mm
TRANS, DUAL NPN, 160V, 0.2A, 0.2W; Available until stocks are exhausted
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FFB5551.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade