onsemi FDY101PZ
EOL
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FDY101PZ | 6.000 | 7d | |||||||||
| element14 APAC | FDY101PZ | 0 | 5 | Cut Tape | 12h | |||||||
| Farnell | FDY101PZ | 0 | 5 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Component Stockers USA | FDY101PZ | 21.570 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-FDY101PZ | 21.000 | 12 | 1h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2006-02-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDY101PZ fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -0.15A, 8Ω
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SC-89 T/R
MOSFETs -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
-2.5V, SINGLE, PCH, SPECIFIED POWER TRENCH MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
625mW(Ta) 8V 1.5V@ 250¦ÌA 1.4nC@ 4.5V 1P 20V 8¦¸@ 150mA,4.5V 150mA 100pF@10V SC-89-3 1.6mm*880¦Ìm*780¦Ìm
20V 150mA 8´Î@4.5V150mA 625mW 1V@250uA 15pF@10V P Channel 100pF@10V 1nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SC-89-3 MOSFETs ROHS
This Single P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = -2.5v.
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET, P, SC89 SMD; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:625mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-150mA; Package / Case:SC-89; Power Dissipation Pd:625mW; Pulse Current Idm:1A; SMD Marking:B; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage Vgs th Max:-1.5V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance100 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation446 mW
Rds On Max8 Ω
Rise Time13 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height780 µm
Length1.7 mm
Width980 µm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade