onsemi FDU8778
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Peças relacionadas
onsemiNTD50N03R-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD50N03R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD4865N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Descrições
Descrições de onsemi FDU8778 fornecidas pelos seus distribuidores.
25V,35A,14OHM, NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
MOSFETs 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
39W(Tc) 2.5V@ 250¦ÌA 18nC@ 10V 1individualNChannel 25V 14m¦¸@ 35A,10V 845pF@13V IPAK Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance845 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation39 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade