onsemi FDS9945
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7103PBF
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; 0.13ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Diodes Inc.ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
Descrições
Descrições de onsemi FDS9945 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 3.5A, 100mΩ
Dual N-Channel 60 V 2 W 13 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - SOIC-8
These N Channel Logic Level MOSFET have been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. The MOSFET feature faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS(on) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +290%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance420 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 MΩ
Rise Time4.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade