onsemi FDS8978
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EOL
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS8978 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 18 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC / Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7.5A, 18mΩ
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 7.5A, SOIC-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test; Available until stocks are exhausted
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade