onsemi FDS8842NZ
$ 0.716
EOL
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Tendência de 3 meses: -99.93%
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDS8842NZ.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS8842NZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 14.9A, 7.0mΩ
N-Channel 40 V 7 Ohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 14.9A, 150度 C, 2.5W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
Fet 30V 7.0 Mohm So8 Rohs Compliant: Yes
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
The FDS8842NZ has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -99.93%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade