onsemi FDS86267P
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-07-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDS86267P fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET -150V, -2.2A, 255mΩ
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 2.2 A, 0.255 ohm, SOIC, Surface Mount
MOSFET, P-CH, -150V, -2.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.2A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.191ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. The process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -23.60%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance255 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.13 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max255 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade