onsemi FDS6975
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Dual N/P-Channel 30V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
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Descrições
Descrições de onsemi FDS6975 fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -6A, 32mΩ
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-6A; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1.7V ;RoHS Compliant: Yes
These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for notebook computer applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
MOSFET, DUAL, PP, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:PP; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:6A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.7V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:20A; No. of Pins:8; Power Dissipation:2W; Power, Pd:2W; SMD Marking:FDS6975; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:-3V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating-6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.7 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max32 mΩ
Resistance32 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.7 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade