onsemi FDS6675BZ
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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
Descrições
Descrições de onsemi FDS6675BZ fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ
Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8
-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -17.36%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance21.8 MΩ
Rise Time7.8 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade