onsemi FDS4897AC
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EOL
Preço e estoque
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-11-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS4897AC fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET Transistor, N and P Channel, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, N & P-CH, 40V, 6.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.1A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
These dual N- and P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +4.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max26 mΩ
Resistance26 MΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade