onsemi FDS3590

Name: onsemi FDS3590
Brand: onsemi
SKU: FDS3590

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ

$ 0.428

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDS3590	2.500	2500						0,365	3d
DigiKey	2	FDS3590CT-ND	2.485	1	Cut Tape	1,600	1,008	0,670	0,479	0,479
Newark		FDS3590	0	2500	Tape & Reel					0,529
Onlinecomponents.com		FDS3590	0	50	Bulk			0,418	0,378	0,345
Master Electronics		FDS3590	0	50				0,418	0,378	0,345

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descrições

Descrições de onsemi FDS3590 fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

Richardson RFPD

MOSFET, N-CH, 80V, 6.5A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe

Farnell

2.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 80V 39m¦¸@ 6.5A,10V 6.5A 1.18nF@40V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm

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IHS

Fet 80V 39.0 Mohm So8 Rohs Compliant: Yes

Newark

SO8, NCH, 80V, 600A GATEOX, 39/44MO(10/6V), TRENCH

Avnet

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

ODG (Origin Data Global)

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

Fairchild Semiconductor

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

FDS3590.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight130 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.5 A

Current Rating6.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance37 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.18 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max39 mΩ

Resistance39 MΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time26 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height1.75 mm

Length5 mm

Width4 mm

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement4 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A