onsemi FDPF20N50
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDPF20N50 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 20 A, 230 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel 500 V 0.23 Ohm Through Hole Mosfet TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.12 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38.5 W
Rds On Max230 mΩ
Resistance230 MΩ
Rise Time375 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time95 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade