onsemi FDPF18N50T
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Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP15NK50ZFP
Mosfet Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 340 Mohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTF23NM50N
STF23NM50N N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP
Descrições
Descrições de onsemi FDPF18N50T fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 18 A, 265 mΩ, TO-220F
FDPF18N50T Series 500 V 18 A 265 mOhm N-Ch UniFETTM MOSFETTO - 220F
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.265ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220F; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; No. of Pins:3; Power Dissipation:38.5W; Voltage, Vds Max:500V; Voltage, Vgs th Max:5V
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance265 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.86 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38.5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max265 mΩ
Rise Time165 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade