onsemi FDPC8012S
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-12-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Descrições
Descrições de onsemi FDPC8012S fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel 25 V 10.5/3.2 mOhm 8/25 nC 1.6/2 W PowerTrench SMT Mosfet PQFN-8
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Clip MOSFET, 25V
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.56%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight192 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.075 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Rds On Max7 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Dimensions
Height725 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade