onsemi FDPC5030SG
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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VishaySISA10DN-T1-GE3
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK 1212-8
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
Descrições
Descrições de onsemi FDPC5030SG fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R
2.3W ¡À20 @ Q 1|¡À12 @ Q 2 3V@ 250¦ÌA 24nC@ 10V 2N 30V 5m¦¸@ 17A,10V 17A,25A 1.715nF@15V PQFN 800¦Ìm
Pt8+ N & Pt8 N Erclip 56 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDPC5030SG
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 25A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
MOSFET N-CH DUAL 30V PWRCLIP56
FDPC5030SG - DUAL N-CHANNEL MOSF
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight207.7333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance1.715 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max5 mΩ
Schedule B8541290080
Dimensions
Height800 µm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade