Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
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Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDP5690.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDP5690 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
60V,32A, NCH, POWER TRENCH MOSFET
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.12 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation58 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation58 W
Rds On Max27 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height22.86 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDP5690.