onsemi FDP55N06
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-11-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Descrições
Descrições de onsemi FDP55N06 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 60 V, 55 A, 22 mΩ, TO-220
N-Channel 60 V 0.022 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
60V 55A 22m´Î@10V27.5A 114W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 60V, 55A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:114W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.51 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation114 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 mΩ
Rise Time130 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade