onsemi FDP120N10
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Peças relacionadas
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
125W 20V 1.2V 58nC@ 10V 1N 100V 12m¦¸@ 10V 69A 4.21nF@ 50V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
STMicroelectronicsSTP78N75F4
N-channel 75 V, 0.008 Ω, 78 A TO-220, DPAK STripFET™2; DeepGATE™2; Power MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FDP120N10 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
100 V, 74 A, 12 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET, N CH, 100V, 74A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:74A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:296A
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -12.03%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.605 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 MΩ
Rise Time105 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade