onsemi FDMS86550ET60
$ 4.465
Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMS86550ET60 | 6.000 | 225 | 1d | ||||||||
| Newark | FDMS86550ET60 | 2.806 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS86550ET60 | 4.537 | 73 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS86550ET60 | 6.792 | 4h | |||||||||
| DigiKey | FDMS86550ET60CT-ND | 2.275 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDMS86550ET60 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 245A, 1.65mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R
MOSFET FET 60V 1.65 MOHM PQFN56
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场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 245A, 175度 C, 187W;
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32BIT MCU RX651 512K 164TFBGA -4
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)245 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max1.65 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade