onsemi FDMS86350ET80
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-01-10
LTD Date2027-07-10
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 months ago)
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N / N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
Descrições
Descrições de onsemi FDMS86350ET80 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 198A, 2.4mΩ
N-Ch MOSFET 80V 25A 3.3W(Ta) 187W(Tc) 4.5V@250µA 155nC@10V 2.4mΩ@25A,10V QFN SMD 3.3mm × 3.3mm × 800μm
Power Field-Effect Transistor, 198A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.52%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)198 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade