onsemi FDMS86255
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Descrições
Descrições de onsemi FDMS86255 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 45A, 12.4mΩ
PT5 150V/20V Nch PowerTrench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, VARIATION AA, 5.
MOSFET N-CH 150V 8-MLP / Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
FDMS86255 Series 150 V 10 A 12.4 mOhm N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 150V, 45A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -7.83%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight56.5 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance12.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.48 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation113 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max12.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade