onsemi FDMS86163P
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDMS86163P | 729.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FDMS86163P | 21.000 | 3K | 4d | ||||||||
| Newark | FDMS86163P | 14.398 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | FDMS86163P | 548 | 1 | |||||||||
| Verical | FDMS86163P | 471 | 235 |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FDMS86163P fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
P-Channel PowerTrench® MOSFET -100V, -50A, 22mΩ
P-Channel 100 V 22 mOhm 42 nC SMT PowerTrench Mosfet - Power56
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -50 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 30 / Gate-Source Voltage V = 25 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 53 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PQFN / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.085 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time8.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.8 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.85 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade