onsemi FDMS8320L
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDMS8320L fornecidas pelos seus distribuidores.
PT8 40V/20V LL Nch PowerTrench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO240 AA,5.0X6.0MM, CLIPBOND
Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 117 nC 104 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 248A, 1.1mΩ
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed ang body diode reverse recovery performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -11.03%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.1 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade