onsemi FDMS3610S
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-04-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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SIR496DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 26 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK SO
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3610S fornecidas pelos seus distribuidores.
2.5W 12V 2V@ 250¦ÌA 26nC@ 10V 2N 25V 5m¦¸@ 17.5A,10V 17.5A,30A 1.57nF@13V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage, 25V
Trans MOSFET N-CH 25V 17.5A/30A 8-Pin Power 56 EP T/R
TAPE REEL / DUAL N-Channel Power Trench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade