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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-04-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrições
Descrições de onsemi FDMS3500 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 49A, 14.5mΩ
2.5W(Ta)，96W(Tc) 20V 3V@ 250µA 91nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 14.5mΩ@ 11.5A,10V 9.2A，49A 4.765nF@40V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET,N CH,75V,9.2A,POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:96W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.765 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Rds On Max14.5 mΩ
Resistance14.5 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade