onsemi FDMS0309AS
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Descrições
Descrições de onsemi FDMS0309AS fornecidas pelos seus distribuidores.
FDMS0309AS Series 30 V 49 A 3.5 mOhm N-Channel Power Trench SyncFET - POWER-56
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)£¬50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 3.5m¦¸@ 21A,10V 21A£¬49A 3nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
The FDMS0309AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time11 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade