onsemi FDMS0300S
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET, 30V, 50A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
onsemiFDMS7658AS
N-Channel 30 V 28 A 1.9 mO Surface Mount PowerTrench SyncFET Mosfet - Power 56
Descrições
Descrições de onsemi FDMS0300S fornecidas pelos seus distribuidores.
2.5W(Ta),96W(Tc) 20V 3V@1mA 133nC@ 10 V 1N 30V 1.8m¦¸@ 30A,10V 31A,49A 8.705nF@15V PQFN 1.1mm
Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin PQFN EP T/R
N-Channel 30V 31A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
The FDMS0300S has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -3.44%
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Resistance1.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.705 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time22 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade