onsemi FDMC86340ET80
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-26
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
InfineonBSC072N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIPB049N08N5ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1
VishaySIR880ADP-T1-GE3
N-Channel 80 V 8.9 mOhm 83 W SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descrições
Descrições de onsemi FDMC86340ET80 fornecidas pelos seus distribuidores.
PT7 N-ch 80/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 80V, 68A, 6.5mΩ
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)68 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.775 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade