onsemi FDMC8622
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD10NF10T4
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPG16N10S461ATMA1
100V, Dual N-Ch, 61 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™-T2, PG-TDSON-8, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDMC8622 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0437ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.9V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance402 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation31 W
Rds On Max56 mΩ
Rise Time1.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.9 V
Turn-Off Delay Time10.2 ns
Turn-On Delay Time5.9 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade