onsemi FDMC8360LET40
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-01-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-01-10
LTD Date2027-07-10
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDMC8360LET40 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 40V, 141A, 2.1mΩ
N-Ch MOSFET 40V 27A 141A 2.1mΩ@27A,10V 5.3nF@20V 2.8W(Ta) 75W(Tc) 3V@250µA 80nC@10V SMD 3.3mm × 3.3mm × 800μm
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Fet 40V 2.1 Mohm Pqfn33 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDMC8360LET40
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin WDFN EP T/R
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
MOSFET, N-CH, 40V, 141A, PQFN;
FDMC8360LET40 - N CHANNEL MOSFET
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20TSSOP
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -27.03%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)141 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max2.1 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade