onsemi FDMC8032L
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-10-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-06-22
LTD Date2024-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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InfineonIRFHS8342TRPBF
INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
Descrições
Descrições de onsemi FDMC8032L fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 7A, 20mΩ
Dual N-Channel 40 V 20 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power33
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 40V 20A 8-Pin Power 33 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.02ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229
This device includes two 40V N-Channel MOSFETs in a dual Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) package. The package is enhanced for exceptional thermal performance.
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 20A, 12W, WDFN; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Weight196 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationDual
Fall Time1.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance720 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time1.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3 mm
Width3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade