onsemi FDMC610P
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-11-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTL100N1VH5
N-channel 12 V, 0.0022 Ohm typ., 25 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
VishaySIR492DP-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 4.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI7102DN-T1-GE3
Single N-Channel 12 V 0.0038 O 110 nC SMT Power Mosfet - PowerPAK-1206-8
Descrições
Descrições de onsemi FDMC610P fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel PowerTrench MOSFET - 8LD,PQFN,DUAL,JEDEC MO-240 BA,3.3X3.3MM,SINGLE TIED DAP
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 12V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
MOSFET, P-CH, -12V, -80A, POWER 33-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-80A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs
This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time193 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade