onsemi FDMC3612

Name: onsemi FDMC3612
Brand: onsemi
SKU: FDMC3612

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

$ 0.311

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDMC3612	1.327	1		0,968	0,609	0,401	0,282	0,282
Verical	3	FDMC3612	2.294	891					0,389	0,346
Future Electronics		FDMC3612	24.000	3K	Tape & Reel					0,410
Rochester Electronics		FDMC3612	22.287					0,374	0,311	0,277	23h
DigiKey	3	FDMC3612CT-ND	14.445	1	Cut Tape	1,340	0,844	0,557	0,393	0,393

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-07-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Mosfet, N-Ch, 100V, 4.2A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H099SFG-7

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Diodes Inc.DMN10H120SFG-7

Mosfet, N-Ch, 100V, 3.8A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H120SFG-7

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Descrições

Descrições de onsemi FDMC3612 fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 12 A 110 mOhm Surface Mount PowerTrench® MOSFET-MLP 3.3 x 3.3

Future Electronics

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Semicontronic

MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Imagens

Farnell

Rochester Electronics

LZChips

Rochester Electronics

element14 APAC

Future Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Contact PlatingGold

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight180 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance110 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance880 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max110 mΩ

Rise Time2.8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time7.4 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.3 mm

Width3.3 mm

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Datasheet10 páginas4 anos atrás

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onsemi

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

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Rohs StatementN/AN/A