onsemi FDMC013P030Z
$ 2.483
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDMC013P030Z fornecidas pelos seus distribuidores.
PT8 P Z -30V/-25V Zener powertrench MOSFET - 8LD,MLP,DUAL, 3.3MM SQUARE
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -54A, 7.0mΩ
Transistor MOSFET P-CH 30V 54A 8-Pin MLP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-Channel 54A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
MOSFET, P-CH, 30V, 54A, 150DEG C, 30W;
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)54 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade