onsemi FDMC012N03
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
InfineonIPB240N03S4LR9ATMA1
30V, N-Ch, 0.92 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
InfineonIRF6797MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX / Trans MOSFET N-CH Si 25V 36A 7-Pin Direct-FET MX T/R
InfineonIPB180N03S4LH0ATMA1
30V, N-Ch, 0.95 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi FDMC012N03 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 1.23 mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R
Fet 30V 1.23 Mohm Pqfn33 Rohs Compliant: Yes
2.3W(Ta),64W(Tc) 12V 2V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 30V 1.23m¦¸@ 35A,10V 35A,185A 8.183nF@15V 3.3mm*3.3mm*800¦Ìm
MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
MOSFET, N-CH, 185A, 30V, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 185A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.00096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.3V; Po
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)185 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance8.183 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max1.23 mΩ
Rise Time5.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade