onsemi FDMC007N08LCDC
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Tendência de 3 meses: -94.51%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDMC007N08LCDC.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDMC007N08LCDC fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN / N-Channel 80 V 64A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80 V, 64A, 6.8mΩ
Transistor MOSFET N-CH 80V 64A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 80V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Mosfet, N Ch, 80V, 64A, Qfn-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0051Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Onsemi FDMC007N08LCDC
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -94.51%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation57 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade