onsemi FDMA7670
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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InfineonBSC120N03LSGATMA1
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Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de onsemi FDMA7670 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 11A, 15mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R
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Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Single Pt7 Nch 30/20V Mlp/Reel |Onsemi FDMA7670
2.4W(Ta) 20V 3V@ 250µA 22nC@ 10V 1individualNChannel 30V 15mΩ@ 11A,10V 11A 1.36nF@15V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*750μm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.36 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade