onsemi FDMA1023PZ
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDMA1023PZ | 6.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | FDMA1023PZ | 5.353 | 1 | |||||||||
| Verical | FDMA1023PZ | 838.904 | 822 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMA1023PZ | 839.193 | 2d | |||||||||
| DigiKey | FDMA1023PZCT-ND | 7.771 | 1 | Cut Tape |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi FDMA1023PZ fornecidas pelos seus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V , -3.7A, 72mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R
Avnet Japan
FDMA1023PZ Series -20 V -3.7 A 72 mOhm Dual P-Ch. PowerTrench® MOSFET-MicroFET-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -3.7A, MICROFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:µFET; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultraportable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight40 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance655 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-700 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max72 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-700 mV
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade