onsemi FDG6306P
$ 0.183
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -13.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDG6306P.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi FDG6306P direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-12-30
LTD Date2024-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
VishaySI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363
Descrições
Descrições de onsemi FDG6306P fornecidas pelos seus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, P-Channel 2.5V Specified, -20 V, -0.6 A, 420 mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
PMIC - Power Management - Specialized Tape & Reel (TR) 3 (168 Hours) 32-WFQFN Exposed Pad Surface Mount Processor -40°C~85°C 2.7V~5.5V QUAD IC REG BUCK LDO 32TQFN
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -13.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Current Rating-600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance114 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation300 mW
Rds On Max420 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi FDG6306P.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade