onsemi FDG311N
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDG311N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 1.9 A, 115 mΩ
750mW(Ta) 8V 1.5V@ 250µA 4.5nC@ 4.5 V 1individualNChannel 20V 115mΩ@ 1.9A,4.5V 1.9A 270pF@10V SC-70-6，SC-88 SMD mount 2mm*1.25mm*1.1mm
Modular Connectors - Jacks With Magnetics 1 (Unlimited) RJ45 1 Solder 90° Angle (Right) Shielded, EMI Finger Through Hole Down 10/100/1000 Base-T, AutoMDIX CONN MAGJACK 1PORT 1000 BASE-T
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable electronics applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.79%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Current Rating1.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance270 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs900 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation480 mW
Rds On Max115 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage900 mV
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade