onsemi FDD8451
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-12-30
LTD Date2024-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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N-channel 30 V, 0.02 Ohm typ., 30 A StripFET(TM) II PowerMOSFET in a DPAK package
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Single N-Channel 55 V 500 mOhm 35 W V Ipower M0 Technology SMT Mosfet - TO-252-3
Descrições
Descrições de onsemi FDD8451 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 40 V 24 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - TO-252-3
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 28A, 24mΩ
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 40V, 28A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low rDS(on).
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -3.22%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance990 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade