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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Peças relacionadas
InfineonIPD90N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPD90N04S405ATMA1
40V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD50N04S308ATMA1
N-Channel MOSFET 68W(Tc) 20V 4V@40µA 35nC@10V 40V 7.5mΩ@50A,10V 50A 2.35nF@25V TO-252 SMD
VishaySQD50P04-13L_GE3
SQD50P04-13L Series P-Channel 40 V 13 mOhms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3
Descrições
Descrições de onsemi FDD8444L fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
153W(Tc) 20V 3V@ 250µA 60nC@ 5V 1individualNChannel 40V 5.2mΩ@ 50A,10V 50A 5.53nF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:50A; On Resistance, Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance10.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.53 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation153 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation153 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time18.7 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade