onsemi FDD8444-F085
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIPD040N03LGATMA1
79W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252
VishaySUD42N03-3M9P-GE3
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
InfineonIPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 / N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Descrições
Descrições de onsemi FDD8444-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 40 V 5.2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252
Trans MOSFET N-CH 40V 145A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel PowerTrench® 40V, 50A, 5.2mΩ
40V,50A,5.2 OHM, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)145 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.195 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation153 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation153 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time78 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade