onsemi FDD6778A
$ 0.481
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-24
LTD Date2013-05-24
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Descrições
Descrições de onsemi FDD6778A fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 25V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
25V N-Channel PowerTrench® MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time14 ns