onsemi FDD3860
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EOL
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Tendência de 3 meses: -36.52%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-02-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDD3860 fornecidas pelos seus distribuidores.
In a Pack of 5, FDD3860 N-Channel MOSFET, 29 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 29 A, 36 mΩ
Using Fairchild's proprietary high density trench MOSFET process, this part is tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit and with avalanche ruggedness for a wide range of switching applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -36.52%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.74 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max36 mΩ
Resistance36 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.8 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade