onsemi FDD1600N10ALZD
$ 0.479
Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 512-FDD1600N10ALZD | 834 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | FDD1600N10ALZD | 19.759 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-FDD1600N10ALZD | 2.780 | 40 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDD1600N10ALZD | 23.602 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Ansinor | FDD1600N10ALZD | 19.378 | 1 | 6h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMC3021LK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 14A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3021LK4-13
Diodes Inc.DMC4029SK4-13
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel/P-Channel 40V 11.8A/8.6A 4-Pin TO-252 T/R
Descrições
Descrições de onsemi FDD1600N10ALZD fornecidas pelos seus distribuidores.
BoostPak (N-Channel PowerTrench® MOSFET + Diode) 100 V, 6.8 A, 160 mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L
TAPE REEL/PT5 100V Logic BoostFET
FDD1600N10ALZD, SINGLE MOSFETS;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.The NP diode is hyperfast rectifier with low forward voltage drop and excellent switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-5
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance225 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation14.9 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation14.9 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time2 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade