onsemi FDC658AP
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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP3065LVT-7
DMP Series 30 V 42 mOhm 1.6 W SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
Descrições
Descrições de onsemi FDC658AP fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Positive Channel 30 Volt 4A 6-Pin SuperSOT T/R
In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC658AP)
P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -4A, 50mΩ
P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6
-30 V, -4 A, 50 MILLI OHM SINGLE P-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild's advanced PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -17.98%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance470 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade